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Memoria RAM Kingston DDR4 2666MHz 8GB Non-ECC CL19 SO-DIMM

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Memoria RAM Kingston DDR4 2666MHz 8GB Non-ECC CL19 SO-DIMM

Peso y dimensiones
Altura 30 mm
Ancho 69.6 mm

Detalles técnicos
Doesn't contain Halógeno
Sustainability certificates RoHS

Memoria
Latencia CAS 19
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8 GB
Componente para Portátil
Voltaje de memoria 1.2 V
Configuración de módulos 1024M x 64
Tiempo activo en fila 32 ns
Tipo de memoria interna DDR4
Memoria interna 8 GB
Clasificación de memoria 1
Velocidad de memoria del reloj 2666 MHz
ECC No
Programming power voltage (VPP) 2.5 V
Tiempo de ciclo de fila 45.75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 350 ns

Requisitos del sistema
Sistema operativo Windows soportado Si

Otras características
Factor de forma 260-pin SO-DIMM

Diseño
JEDEC standard Si

Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 - 100 °C

350.13 350.13 MXN 389.04

335.38

Not Available For Sale


  • Dimensiones
  • Marca
  • Modelo
  • Velocidad
  • Productos compatibles
  • Factor de forma
  • Altura
  • Memoria Interna
  • Latencia cas
  • Tipo de memoria interna
  • Componente para
  • Profundidad
  • Voltaje de memoria
  • Velocidad de memoria del reloj
  • Forma de factor de memoria
  • Voltaje
  • Tecnología
  • Intervalo de temperatura operativa
  • Acorde RoHS
  • Sistema operativo Windows soportado
  • Artículo
  • Intervalo de temperatura de almacenaje
  • Frecuencia
  • Condición del ítem
  • Línea
  • Cantidad de pines
  • Aplicación
  • Tasa de transferencia
  • Capacidad
  • Capacidad total
  • Formato
  • Módulos de Memoria
  • Voltaje de alimentación
  • Tipo de módulo
  • ECC
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño)
  • Latencia CAS
  • Configuración de módulos
  • Clasificación de memoria
  • Tiempo de ciclo de fila
  • Tiempo de actualización de ciclo de fila
  • Tiempo activo en fila
  • Programador de potencia de voltaje (VPP)
  • Estándar JEDEC
  • Rango
  • Tipo de modulo
  • Numero de pines
  • Cl
  • Libre de halógenos
  • Verificación de errores

Esta combinación no existe.


Share :
Velocidad 2666 MHz o 2666MHz (PC4-21300)
Forma de factor de memoria 260-pin SO-DIMM o SO-DIMM
Latencia CAS 19 o CL19
Dimensiones 6.50x3.00x10.00
Marca Kingston
Modelo KVR26S19S8/8
Productos compatibles Acer - Aspire Nitro 5 (AN515-42-xxx)\nAcer - Aspire Nitro 5 (AN515-52-xxx)\nAcer - Aspire Nitro 5 (AN515-53-xxx)\nAcer - Predator Helios 300 (PH315-xx-xxx)\nASUS/ASmobile - ROG G703GI Notebook\nASUS/ASmobile - ROG SCAR Edition GL703GE Notebook\nASUS/ASmobile - ROG SCAR Edition GL703GM Notebook\nASUS/ASmobile - ROG SCAR Edition GL703GS Notebook\nASUS/ASmobile - ROG SCAR II GL504GM Notebook\nASUS/ASmobile - ROG Strix Hero Edition Notebook\nASUS/ASmobile - ROG ZEPHYRUS M (GM501) Notebook\nASUS/ASmobile - ROG ZEPHYRUS M (GU501) Notebook\nASUS/ASmobile - TUF Notebook Gaming FX504\nASUS/ASmobile - VivoBook Pro 15 N580GD\nGigabyte - AERO Laptop 15/15X (i7-8750H)\nMSI - Notebook GE63 Raider RGB 8RE\nMSI - Notebook GE63 Raider RGB 8RF\nMSI - Notebook GE73 Raider RGB 8RE\nMSI - Notebook GE73 Raider RGB 8RF\nMSI - Notebook GF62 8RD\nMSI - Notebook GF62 8RE\nMSI - Notebook GL63 8RC\nMSI - Notebook GL63 8RD\nMSI - Notebook GL73 8RD\nMSI - Notebook GP63 LEOPARD 8RE\nMSI - Notebook GP73 Leopard 8RD\nMSI - Notebook GP73 Leopard 8RE\nMSI - Notebook GS63 Stealth 8RD\nMSI - Notebook GS63 Stealth 8RE\nMSI - Notebook GS65 Stealth Thin 8RE\nMSI - Notebook GS65 Stealth Thin 8RF\nMSI - Notebook GS73 Stealth 8RD\nMSI - Notebook GS73 Stealth 8RE\nMSI - Notebook GS73 Stealth 8RF\nMSI - Notebook GT63 Titan 8RF\nMSI - Notebook GT63 Titan 8RG\nMSI - Notebook GT75 8RG Titan\nMSI - Notebook GT75 Titan 8RF\nMSI - Notebook GT83 Titan 8RF\nMSI - Notebook GT83 Titan 8RG\nMSI - Notebook GV62 8RC\nMSI - Notebook WE63 8SJ\nMSI - Notebook WS63 8Sx\nShuttle - XPC Slim DH310\nSupermicro - SuperServer E300-9C (Super X11SCV-Q)
Factor de forma DDR4
Altura 30 mm
Memoria Interna 8 GB
Latencia cas 19
Tipo de memoria interna DDR4
Componente para Portátil
Profundidad 3,7 mm
Voltaje de memoria 1.2 V
Velocidad de memoria del reloj 2666 MHz
Voltaje 1.2v
Tecnología DDR4 SDRAM
Intervalo de temperatura operativa 0 - 85 °C
Acorde RoHS Si
Sistema operativo Windows soportado Si
Artículo Memoria Ram
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 - 100 °C
Frecuencia 2666mhz
Condición del ítem Nuevo
Línea ValueRAM
Cantidad de pines 260
Aplicación Laptops
Tasa de transferencia 21300 MB/s
Capacidad 8 GB
Capacidad total 8 GB
Formato SODIMM
Módulos de Memoria 1 x 8 GB
Voltaje de alimentación 1.2V
Tipo de módulo SODIMM
ECC No
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8 GB
Configuración de módulos 1024M x 64
Clasificación de memoria 1
Tiempo de ciclo de fila 45,75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 350 ns
Tiempo activo en fila 32 ns
Programador de potencia de voltaje (VPP) 2,5 V
Estándar JEDEC Si
Rango 1R (rango único)
Tipo de modulo Ddr4
Numero de pines 260 pin
Cl 19 ciclos
Libre de halógenos Si
Verificación de errores No ECC